Компания TDK провела демонстрацию своей новой технологии памяти MRAM, которая является одной из нескольких, идущих на замену Flash. Память MRAM характеризуется высокой скоростью, которая сравнима с SRAM и DRAM, однако в отличие от последних она энергонезависма, и позволяет хранить информацию годами, как мы делаем это с флэш памятью. Технология MRAM, или Magnetoresistive Random Access Memory, не нова, однако только сейчас её работа была продемонстрирована на прототипе в составе микросхемы STT MRAM, на которую данные можно как записывать, так и считывать.
В ходе демонстрации было проведено сравнение чипов MRAM и современной флэш-памяти, при этом новая технология показала в 7 раз большую производительность. В качестве прототипа использовался модуль объёмом всего 8 МБ. Вы уже предвкушаете новый твердотельный накопитель на магниторезистивной памяти? Зря. По словам самой TDK, до промышленного внедрения технологии ждать придётся ещё порядка 10 лет, да и современных технологий вполне достаточно для большинства нужд.
Однако это вовсе не означает, что мы не увидим применения MRAM в быту, просто сначала эта технология будет опробована в промышленных и научных целях, и лишь затем появятся приборы потребительского класса. Как бы то ни было, но в Buffalo уже объявили, что компания в скором времени начнёт использовать микросхемы нового типа в своих жёстких дисках для организации кэша. Превосходная маленькая победа новой технологии.



Также смотрите: 

Похожие новости: