Привет, Гость!
Навигация
Голосование
Ваши политические взгляды
Правые
Левые
Центристские
Другое

» » Toshiba и SanDisk представили 48-слойную 256 Гб память NAND

Toshiba и SanDisk представили 48-слойную 256 Гб память NAND

Toshiba и SanDisk представили 48-слойную 256 Гб память NAND

06 августа '15




Toshiba и SanDisk представили 48-слойную 256 Гб память NAND
Компании Toshiba и SanDisk представили новое поколение BiCS FLASH — трёхмерной стековой структуры ячеек флэш-памяти. Представленные микросхемы являются первыми в мире чипами объёмом 256 Гб (32 ГБ), которые состоят из 48 слоёв BiCS, каждая ячейка которого может хранить 3 бита (TLC). Память такого типа позволяет увеличить объём, по сравнению с двумерными чипами NAND, при этом увеличив долговечность памяти при операциях чтения/записи, а также увеличив скорость работы. Представленные 256-битные устройства предназначаются для применения в различных областях, включая потребительские SSD, смартфоны, планшетные компьютеры и карты памяти, а также SSD для центров обработки данных.
Toshiba и SanDisk представили 48-слойную 256 Гб память NAND
Сейчас компании уже начинают опытное производство новых 48-слойных 3D NAND микросхем.



Также смотрите: 





Похожие новости:
Добавить коментарий
Коментарии
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.