Как известно, Toshiba и SanDisk совсем недавно представили свои 128 Гб модули NAND состоящие из 48 слоёв. Их главные конкуренты, Intel и Micron, пока заметно отстают от них в количестве слоёв. Эти компании анонсировали лишь 32-слойную архитектуру чипа, однако им удалось значительно продвинуться в плотности микросхем. Так, по уверениям Intel, им удалось создать 256 Гб чип в MLC конфигурации и 384 битный в TLC конфигурации памяти. Этого удалось добиться благодаря использованию в 3D архитектуре плавающего затвора, который обычно применяется в планарной технологии изготовления чипов.
Благодаря использованию новой технологии, обычный 2,5” SSD будет иметь объём до 10 ТБ. В более компактном «брелковом» размере, объём может достигнуть 3,5 ТБ. Обе компании-разработчика отмечают, что новая технология снижает удельную стоимость производства, позволяет повысить производительность, увеличить срок службы и даже понизить энергопотребление, по сравнению с NAND чипами, выпущенными по планарной технологии. По словам фирм, опытное производство 256 Гб MLC микросхем уже начато, в то время как выпуск 384 Гб TLC микросхем начнётся этим летом. С учётом этого компании планируют начать массовый выпуск данной продукции до конца текущего года. Кроме того, обе компании объявили, что они одними из первых начнут выпуск конечных продуктов на базе новой памяти, обещая выпуск фирменных SSD в середине 2016 года.



Также смотрите: 

Похожие новости: