Южнокорейская компания Samsung продемонстрировала 128 Мб чипы SRAM, изготовленные по FinFET процессу с размером элементов 10 нм. Компания заявила, что представленные 10 нм чипы на 38% меньше, чем их аналоги, выпущенные по 14 нм технологии. По словам Тхаэджоона Сона, автора документации Samsung SRAM, главное, что должны знать конструкторы чипов, это то, что существует рост производительности при переходе на 10 нм. Однако конечное сопротивление этих чипов, по сравнению с 14 нм, не улучшилось. Отвечая на вопросы, он сообщил, что конечное сопротивления продолжит расти и при 7 нм технологии производства. Сон отметил: «Вы ожидаете, что новый процесс будет лучше во всём, но не в этом случае». Отмечается, что компания Samsung приступит к массовому производству чипов по 10 нм FinFET технологии к концу этого года.



Также смотрите: 

Похожие новости: