Компания Samsung распространила информацию о том, что твердотельные накопители 850-й серии в следующем году получат объём до 4 ТБ. Для этого компания будет использовать свои новые разработки в области NAND памяти. В августе в ходе саммита по вопросам флэш-памяти, компания Samsung анонсировала третье поколение своей памяти V-NAND. Новая память позволяет увеличить число слоёв с нынешних 32 до 48. Использовать же третье поколение памяти 3d V-NAND компания планирует с самого начала 2016 года, и первыми продуктами, в которых она применит новую память, станут SATA III 2,5” SSD 850 PRO и 850 EVO. Именно эти накопители и получат увеличение объёма. Сейчас же максимальный объём этих моделей составляет 2 ТБ. Также увеличение ёмкости коснётся и форм фактора M.2. При меньших габаритах SSD их объём увеличиться с 512 ГБ до 1 ТБ. Накопители PM863 и SM863 также получат новую NAND. Также вместе с реализацией новых накопителей будет произведён ребрендинг памяти, которая вместо 3D V-NAND будет называться просто V-NAND.



Также смотрите: 

Похожие новости: