Привет, Гость!
Навигация
Голосование
Ваши политические взгляды
Правые
Левые
Центристские
Другое

» » SanDisk и Toshiba объявили о создании 48-слойной 3D NAND памяти

SanDisk и Toshiba объявили о создании 48-слойной 3D NAND памяти

SanDisk и Toshiba объявили о создании 48-слойной 3D NAND памяти

07 апреля '15




SanDisk и Toshiba объявили о создании 48-слойной 3D NAND памяти
Компании SanDisk и Toshiba объявили о том, что их совместное предприятие создало первую в мире 48-слойную стековую памяти NAND. Память получила название BiCS (сокращение от bit cost scalable). Компании создали чипы с памятью по 2 бита на ячейку, что обеспечит плотность записи в 128 гигабит (16 ГБ) на чип. Опытное производство памяти уже начато, а массовое должно начаться в первой половине 2016 года на новом заводе Fab2 в Yokkaichi Operations. «Мы с радостью представляем наше второе поколение 3D NAND, обладающее 48-слойной архитектурой, которое разработано совместно с нашим партнёром Toshiba», — заявил доктор Шива Шиварам, исполнительный вице-президент по технологии памяти компании SanDisk. «Мы использовали наше первое поколение технологии 3D NAND как средство изучения, позволившее нам разработать наше коммерческое второе поколение 3D NAND, которое, мы уверены, предоставит нашим клиентам интереснейшее решение в сфере накопителей».
SanDisk и Toshiba объявили о создании 48-слойной 3D NAND памяти
Компания SanDisk планирует использовать второе поколение технологии 3D NAND в широком спектре решений, от съёмных накопителей до промышленных SSD.



Также смотрите: 





Похожие новости:
Добавить коментарий
Коментарии
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.